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FDMS86101  与  BSC060N10NS3 G  区别

型号 FDMS86101 BSC060N10NS3 G
唯样编号 A36-FDMS86101 A-BSC060N10NS3 G
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 55 nC 8 mO Surface Mount PowerTrench® Mosfet - Power56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6mΩ@50A,10V
上升时间 - 16ns
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 125W
Qg-栅极电荷 - 68nC
栅极电压Vgs - ±20V
正向跨导 - 最小值 - 43S
典型关闭延迟时间 - 45ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SMD TDSON-8-1
连续漏极电流Id - 90A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
长度 - 5.9mm
下降时间 - 12ns
典型接通延迟时间 - 20ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 309 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.675
100+ :  ¥3.894
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMS86101 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SMD

¥4.675 

阶梯数 价格
20: ¥4.675
100: ¥3.894
309 当前型号
DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta),139W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 100V 9.4A(Ta),98A(Tc)

¥5.753 

阶梯数 价格
9: ¥5.753
100: ¥4.785
1,250: ¥4.356
2,500: ¥4.18
2,500 对比
STL100N10F7 STMicro  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比
BSC060N10NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC060N10NS3GATMA1_100V 90A 6mΩ@50A,10V ±20V 125W N-Channel -55°C~150°C TDSON-8-1

暂无价格 0 对比
BSC105N10LSF G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC105N10LSFGATMA1_100V 90A 10.5mΩ 20V 156W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSC105N10LSFGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC105N10LSF G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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